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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
37
读取速度,GB/s
10.4
14.2
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2591
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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