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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
14.7
16.4
写入速度,GB/s
9.2
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2973
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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