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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs INTENSO 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
14.7
12.1
写入速度,GB/s
9.2
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2061
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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