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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
39
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
21
读取速度,GB/s
14.7
15.3
写入速度,GB/s
9.2
7.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2276
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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