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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
39
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
21
读取速度,GB/s
14.7
17.9
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3167
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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