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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
61
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
61
读取速度,GB/s
14.7
8.2
写入速度,GB/s
9.2
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
1813
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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