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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
73
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
73
读取速度,GB/s
14.7
14.1
写入速度,GB/s
9.2
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
1609
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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