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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
差异
规格
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差异
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
14.0
16.5
写入速度,GB/s
9.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
3058
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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