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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
14.0
15.9
写入速度,GB/s
9.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2847
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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