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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
14.0
13.8
写入速度,GB/s
9.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2553
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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