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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
14.0
16.0
写入速度,GB/s
9.2
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2436
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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