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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
14.0
17.2
写入速度,GB/s
9.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
3292
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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