RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
5,022.9
20.6
写入速度,GB/s
1,597.0
13.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3518
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link