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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
5,022.9
17.6
写入速度,GB/s
1,597.0
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3060
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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