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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
5,022.9
15.6
写入速度,GB/s
1,597.0
13.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2949
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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