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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
5,022.9
17.1
写入速度,GB/s
1,597.0
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2806
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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