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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
5,022.9
14.7
写入速度,GB/s
1,597.0
11.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2554
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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