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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
5,022.9
16.7
写入速度,GB/s
1,597.0
10.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2876
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
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