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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
81
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
81
读取速度,GB/s
5,022.9
14.4
写入速度,GB/s
1,597.0
7.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
1824
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB RAM的比较
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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