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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
73
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
73
读取速度,GB/s
12.0
15.0
写入速度,GB/s
7.8
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1838
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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