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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
61
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
30
读取速度,GB/s
4,668.9
16.9
写入速度,GB/s
1,903.1
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
3050
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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