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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
5,987.5
16.2
写入速度,GB/s
2,160.7
12.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2973
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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