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Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
40
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
32
读取速度,GB/s
13.4
16.8
写入速度,GB/s
7.9
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2140
2641
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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