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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
5,022.9
16.6
写入速度,GB/s
1,597.0
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3007
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
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