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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

总分
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

总分
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Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

差异 规格 评论

差异

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB 需要考虑的原因
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 63
    左右 -117% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 5.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 19.0
  • 写入速度，GB/s
    5.0 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1274 left arrow 3741

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB RAM的比较

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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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