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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
比较
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
总分
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.7
18.7
写入速度,GB/s
8.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2270
3530
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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