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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
16.1
写入速度,GB/s
10.0
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2607
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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