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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
16.7
16.8
写入速度,GB/s
10.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3337
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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