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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
17.3
写入速度,GB/s
10.0
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3628
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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