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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
差异
规格
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
17.2
写入速度,GB/s
10.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3324
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Frequency (Mhz) *
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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
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