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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
16.7
17.7
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3055
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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