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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
16.7
17.7
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3055
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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