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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
差异
规格
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
18.2
写入速度,GB/s
10.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3300
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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