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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
16.7
15.7
写入速度,GB/s
10.0
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2958
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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