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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
16.7
15.1
写入速度,GB/s
10.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3045
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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