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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
16.7
19.3
写入速度,GB/s
10.0
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3653
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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