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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
16.7
14.5
写入速度,GB/s
10.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2429
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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