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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
40
读取速度,GB/s
16.7
9.1
写入速度,GB/s
10.0
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2031
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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