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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
86
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
86
读取速度,GB/s
16.7
12.1
写入速度,GB/s
10.0
5.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
1220
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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