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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
40
读取速度,GB/s
16.7
15.7
写入速度,GB/s
10.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2972
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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