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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston 9905598-039.A00G 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
16.7
16.3
写入速度,GB/s
10.0
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2565
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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