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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston 9905633-017.A00G 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
13.7
写入速度,GB/s
10.0
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2306
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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