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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

差异 规格 评论

差异

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 14.8
    测试中的平均数值
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB 需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 38
    左右 -6% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 10.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 12.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2753 left arrow 2711

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较

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Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB RAM的比较

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Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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内存RAM
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