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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
16.7
18.4
写入速度,GB/s
10.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3278
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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