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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
16.7
13.9
写入速度,GB/s
10.0
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2400
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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