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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
16.7
14.2
写入速度,GB/s
10.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2591
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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