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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
14.1
写入速度,GB/s
10.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2436
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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