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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
16.7
15.6
写入速度,GB/s
10.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2468
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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