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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
16.7
13.7
写入速度,GB/s
10.0
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2046
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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