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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
16.7
13.5
写入速度,GB/s
10.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2891
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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