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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
16.5
写入速度,GB/s
10.0
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3217
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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